张文军 男，1967年9月生。1988年毕业于兰州大学物理系并获学士学位。1991年及1994年分别于该校获得凝聚态物理硕士和博士学位。1995年5月至1997年7月，在德国Fraunhofer Institute for Surface Engineering and Thin Films（FhG-IST）做博士后研究。1997年7月首次加入香港城市大学物理及材料科学系任研究员。1998年12月起在日本国立无机材质研究所作Science and Technology Agency（STA）研究员。2000年12月作为高级研究员再次加入香港城市大学，之后升任助理教授并成为“超金刚石及先进薄膜研究中心”核心成员至今。2003年起在德国Siegen University作为访问教授进行合作研究。2005年4月应聘为中国科学院理化技术研究所特聘教授。迄今为止已在国际期刊﹑会议上发表百余篇论文，多次在国际会议上作邀请报告，并为数个国际期刊审稿人。2002年获得日本应用物理学会“最佳论文奖”，2003年获得德国洪堡基金会“Friedrich Wilhelm Bessel” 研究奖。
二、代表作目录： 1. W.J. Zhang, I. Bello, Y. Lifshitz, K.M. Chan, X.M. Meng, Y. Wu, C.Y. Chan, S.T. Lee, “Seamless epitaxy on diamond by CVD – A route to large-area, thick, single crystalline cubic boron nitride films” Adv. Mater. 16 (2004) 1405. 2. W.J. Zhang, I. Bello, Y. Lifshitz, and S.T. Lee “Recent Advances in Cubic Boron Nitride Deposition” MRS Bulletin 28 (2003) 184. (Invited review paper) 3. W.J. Zhang, Y. Wu, W.K. Wong, X.M. Meng, C.Y. Chan, I. Bello, Y. Lifshitz, S.T. Lee, “Structuring nano-diamond cone arrays for improved field emission” Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 3365. 4. W.J. Zhang, X.M. Meng, C.Y. Chan, Y. Wu, I. Bello, S.T. Lee, “Oriented single-crystal diamond cones and their arrays” Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 2622. 5. W.J. Zhang, S. Matsumoto, Q. Li, I. Bello, S.T. Lee, “Growth behavior of cubic boron nitride films in a two-step process by changing bias voltage, gas composition and substrate temperature”, Adv. Functional Mater. 12 (2002) 250. 6. W.J. Zhang, X. Jiang, S. Matsumoto, “High-quality, faceted cubic boron nitride films grown by chemical vapor deposition”, Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 4530. 7. W.J. Zhang and S. Matsumoto, “Investigations of crystalline quality and residual stress of cBN films by Raman spectroscopy”, Phys. Rev. B. 63 (2001) 73201. 8. W.J. Zhang, X.S. Sun, H.Y. Peng, N. Wang, C.S. Lee, I. Bello, and S.T. Lee, “Diamond Nucleation Enhancement by Direct Low-energy Ion Beam Deposition”, Phys. Rev. B. 61 (2000) 5579. 9. W.J. Zhang, X. Jiang, and Y.B. Xia, “The selective etching of H+ ions and its effect on the oriented growth of diamond films”, J. Appl. Phys. 82 (1997) p.1896. 10. W.J.Zhang and X.Jiang, “The growth characteristics of (001) oriented diamond layers on (111) diamond face via bias-assisted chemical vapor deposition”, Appl. Phys. Lett. 68 (1996) p.2195.
人才队伍