11月5日，应理化所“未来青年论坛”和晶体中心的邀请，上海电机学院金敏教授来到理化所进行交流访问，并作题为“微重力生长InSe半导体晶体及微观结构调控研究”的精彩学术报告。报告会由刘丽娟研究员主持，报告吸引了众多师生参加，学术氛围浓厚。

金敏在报告中介绍了微重力环境下半导体晶体生长的研究进展，包括InSe半导体晶体的材料特性、生长技术以及微观结构调控等方向的研究。金敏指出，随着中国空间站的逐步建设完善，微重力环境下的晶体生长为调控材料内部位错密度提供了独特的条件，这对于提高半导体材料的性能具有重要意义。他详细介绍了团队首次在中国空间站上开展InSe晶体生长的实验结果，展示了在微重力环境下晶体生长的优势和潜力。报告中，金敏还分享了他在半导体晶体研究领域的丰富经验和成果，包括自主研发的新型低成本GaAs半导体晶体生长技术，并实现了量产，产品在国内及日韩市场实现销售。

金敏教授的报告内容翔实，开阔了参会者的视野和思路。会后，参会师生与金敏教授进行了热烈的讨论和交流，报告在积极的学术交流中圆满结束。

金敏教授作报告

报告专家简介

金敏，男，1982年生，博士，上海电机学院教授。上海市优秀学术带头人、上海市曙光学者、上海市特聘教授（东方学者）。2008年博士毕业于中国科学院上海硅酸盐研究所，长期从事半导体晶体研究，在Science,Nat Mater,Nat. Commun. ,ACS Energy Lett. ,Nano Energy等期刊上发表论文100余篇，申请专利20余项，合作出版专著一本，主持和参与科研项目20余项。曾打破美日欧技术壁垒，自主研发了一种新型低成本GaAs半导体晶体生长技术并实现了量产，产品在国内及日韩市场实现销售。曾获中华人民共和国教育部科技成果完成者证书、中国石油和化学工业优秀出版物二等奖、第一/二届全国人工晶体青年学术会议优秀青年奖。