应中国科学院功能晶体与激光技术重点实验室、“理化青年论坛”和“中科院青年创新促进会”理化所分会邀请，9月24日，英国剑桥大学材料系David Ramo博士来理化所进行交流访问，并作了题为Computer modeling of the electronic structure and properties of transparent conducting oxides学术报告。

报告中，David Maro博士主要介绍了对于IZO族以及过渡金属掺杂的ZnO等透明导电氧化物的第一性原理研究，探讨了杂质和空穴在这些材料中对于带隙和电子导电率的影响，这将为透明导电氧化物的发展提供有益的帮助。

David Maro博士2004年毕业于西班牙巴塞罗那大学，主要从事超导体中磁耦合、晶态材料电子能带结构等方面的从头计算模拟研究。在Phys. Rev. Lett., Phys. Rev. B, J. Phys. Chem. B等学术杂志发表论文20余篇。

David Maro博士作报告

学术报告会场