应中国科学院理化技术研究所的邀请，中国科学院院士、香港城市大学前任校长、香港大学前任校长郑耀宗教授于6月8日下午来理化所访问，理化所赵震声副所长会见了到访嘉宾，并向郑耀宗院士颁发了理化技术研究所客座教授的聘书。在赵震声副所长、李述汤院士、张晓宏研究员的陪同下，双方交流了彼此感兴趣研究课题，就未来合作领域进行了商谈。

 郑耀宗院士简介：

微电子学专家。原籍广东中山，生于香港。1963年毕业于香港大学，获理学学士学位。1967年获加拿大卑诗大学博士学位。1989-1996年任香港城市大学校长，1996-2000年任香港大学校长。郑耀宗教授长期以来对金属－氧化硅－硅（MOS）系统及其器件物理和工艺技术进行了系统研究。发明了掺氯化氢硅氧化技术，解决了当时MOS器件和集成电路阈值电压漂移、不能稳定工作的难题，使MOS器件和电路的性能、可靠性和成品率大大提高。在国际上首先提出了MOS反型层载流子表面粗糙度散射理论，在MOS集成电路进入深亚微米阶段后，这一机理已成为决定MOS反型层载流子迁移率的主要因素，这是对MOS器件物理的一大发展。是较早开展氮化硅技术的研究者之一。在深亚微米器件模型研究工作中取得重要成果。1999年当选为中国科学院院士。

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理化所客座教授郑耀宗院士